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文章詳情
西門(mén)康IGBT的研發(fā)進(jìn)展（二）
日期：2025-05-11 23:03
瀏覽次數(shù)：957
摘要：
1、NPT-IGBT
NPT（非傳統(tǒng)型）--西門(mén)康IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢(qián)的厚層高阻外延，可降低生產(chǎn)本錢(qián)25%左右，耐壓越高本錢(qián)差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無(wú)鎖定效應(yīng)，在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí)，NPT—IGBT可靠性*高。市面上有些公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。
2、SDB--IGBT
鑒于目前廠家對(duì)西門(mén)康IGBT的開(kāi)發(fā)非常重視，采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線(xiàn)上制作第四代高速I(mǎi)GBT及模塊系列產(chǎn)品，特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。
3、超快速I(mǎi)GBT
研發(fā)重點(diǎn)在于減少西門(mén)康IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速I(mǎi)GBT可*大限度地減少拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下，拖尾更短，重點(diǎn)產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)，現(xiàn)有6種型號(hào)，另可用在大功率電源變換器中。
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